Исследование окисления кремния в связи с защитой полупроводниковых приборов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБелицкая, С. Г.
dc.date.accessioned2018-10-02T11:40:08Z
dc.date.available2018-10-02T11:40:08Z
dc.date.issued1967
dc.descriptionБелицкая, С. Г. Исследование окисления кремния в связи с защитой полупроводниковых приборов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / Белицкая Софья Григорьевна ; науч. рук. И. Л . Ройх ; Одес. технол. ин-т им. М.В. Ломоносова. - Одесса : ОТИ, 1967. - 17 с.ru_RU
dc.description.abstractДиссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Цель работы – исследование поведения реальной поверхности монокристаллов кремния при экспозиции на воздухе и выяснение факторов, вызывающих нестабильность поверхности в этих условиях. Рассматриваются оптимальные условия нанесения защитных покрытий из окислов кремния при низкой температуре. Установлено фотографическое действие шлифованной поверхности кремния на предварительно гиперсенсибилизированный фотослой. Изучена кинетика окисления реальной поверхности кремния в атмосфере с резко пониженной влажностью. Рассмотрено влияние радиационных дефектов, возникающих при гамма-облучении кремния на скорость роста поверхностных пленок. Исследованы два метода нанесения защитных покрытий на полупроводниковые приборы: химическое окисление и нанесение пленок двуокиси кремния в аргоно-кислородной плазме. Построены изотермы адсорбции и кривые роста окисных пленок на кремнии в зависимости от влажности окружающей среды. С ростом температуры наблюдается ускорение процесса роста поверхностной пленки, что объясняется ускорением катодной стадии процесса.ru_RU
dc.identifier.urihttps://card-file.ontu.edu.ua/handle/123456789/4422
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherОТИru_RU
dc.subjectполупроводниковые приборыru_RU
dc.subjectокисление кремнияru_RU
dc.subjectповерхность кремнияru_RU
dc.subjectкоррозия кремнияru_RU
dc.subjectповерхностная пленкаru_RU
dc.subjectмонокристаллы кремнияru_RU
dc.subjectраспыление кремнияru_RU
dc.subjectнапыляемая пленкаru_RU
dc.subjectнапівпровідникові приладиru_RU
dc.subjectокислення кремніюru_RU
dc.subjectповерхня кремніюru_RU
dc.subjectкорозія кремніюru_RU
dc.subjectповерхнева плівкаru_RU
dc.subjectмонокристали кремніюru_RU
dc.subjectрозпилення кремніюru_RU
dc.subjectнапилювана плівкаru_RU
dc.titleИсследование окисления кремния в связи с защитой полупроводниковых приборовru_RU
dc.typeBookru_RU
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
BelitskayaSG.pdf
Розмір:
20.96 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Автореферати дисертацій (Abstracts)