Исследование окисления кремния в связи с защитой полупроводниковых приборов
Вантажиться...
Дата
1967
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
ОТИ
Анотація
Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук.
Цель работы – исследование поведения реальной поверхности монокристаллов кремния при экспозиции на воздухе и выяснение факторов, вызывающих нестабильность поверхности в этих условиях. Рассматриваются оптимальные условия нанесения защитных покрытий из окислов кремния при низкой температуре. Установлено фотографическое действие шлифованной поверхности кремния на предварительно гиперсенсибилизированный фотослой. Изучена кинетика окисления реальной поверхности кремния в атмосфере с резко пониженной влажностью. Рассмотрено влияние радиационных дефектов, возникающих при гамма-облучении кремния на скорость роста поверхностных пленок. Исследованы два метода нанесения защитных покрытий на полупроводниковые приборы: химическое окисление и нанесение пленок двуокиси кремния в аргоно-кислородной плазме. Построены изотермы адсорбции и кривые роста окисных пленок на кремнии в зависимости от влажности окружающей среды. С ростом температуры наблюдается ускорение процесса роста поверхностной пленки, что объясняется ускорением катодной стадии процесса.
Опис
Белицкая, С. Г. Исследование окисления кремния в связи с защитой полупроводниковых приборов [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук / Белицкая Софья Григорьевна ; науч. рук. И. Л . Ройх ; Одес. технол. ин-т им. М.В. Ломоносова. - Одесса : ОТИ, 1967. - 17 с.
Ключові слова
полупроводниковые приборы, окисление кремния, поверхность кремния, коррозия кремния, поверхностная пленка, монокристаллы кремния, распыление кремния, напыляемая пленка, напівпровідникові прилади, окислення кремнію, поверхня кремнію, корозія кремнію, поверхнева плівка, монокристали кремнію, розпилення кремнію, напилювана плівка